Dispositivos multifunción · Osciloscopio portátil
FNIRSI DSO-TC4 — Osciloscopio portátil
Osciloscopio multifunción 3 en 1 que integra osciloscopio, generador de señales y tester de transistores — pensado para reparación e I+D.
| Marca | FNIRSI |
| Modelo | DSO-TC4 |
| Categoría | Dispositivos multifunción / Osciloscopio portátil |
| Disponibilidad | Consultar disponibilidad |
Características destacadas
- Muestreo de 48MSa/s
- Ancho de banda de 10MHz
- Protección de tensión ±400V
- Guarda capturas de pantalla para análisis
Descripción del producto
Con 48MSa/s de muestreo y 10MHz de ancho de banda, cubre bien las tareas típicas de reparación y desarrollo, con protección de tensión de ±400V para trabajar sin sobresaltos. Además de osciloscopio funciona como tester de transistores y generador de señales, y guarda capturas de pantalla para revisar o comparar formas de onda después.
Características principales
- Marca: FNIRSI.
- Modelo: DSO-TC4.
- Categoría: Dispositivos multifunción / Osciloscopio portátil.
Todas las características
- Osciloscopio integrado: Ofrece una tasa de muestreo de 48MSa/s y un ancho de banda analógico de 10MHz, con protección de tensión de ±400V y almacenamiento de capturas de pantalla para facilitar el análisis posterior.
- Generador de señales: Soporta 13 salidas de forma de onda en un rango de frecuencia de 0 a 50kHz con tensión de salida ajustable de 0 a 3V; frecuencia, amplitud y ciclo de trabajo son totalmente configurables.
- Probador de transistores: Identifica automáticamente el tipo y la disposición de pines del componente bajo prueba, simplificando el uso y mejorando la eficiencia del testeo.
- Variedad de componentes soportados: Detecta y analiza transistores, diodos, triodos y transistores de efecto de campo (FET), entre otros semiconductores.
- Diseño portátil: Incorpora una pantalla TFT color de 2.8 pulgadas de imagen clara, batería de litio recargable de 1500mAh con 4 horas de autonomía en espera, en un formato compacto y liviano para uso móvil.
Especificaciones técnicas
MarcaFNIRSI
ModeloDSO-TC4
PantallaTFT color de 2.8 pulgadas
RetroiluminaciónBrillo ajustable
AlimentaciónType-C (5V/1A)
Batería3.7V/1500mAh
IdiomasChino, Inglés, Alemán, Portugués, Japonés, Español, Coreano, Ruso
Dimensiones≈90x142x27.5mm
Peso≈186g
Tasa de muestreo en tiempo real48MSa/s
Ancho de banda analógico10MHz
Impedancia de entrada1MΩ
Modo de acoplamientoAC/DC
Rango de tensión de pruebaPunta 1:1: 80Vpp (±40V) — punta 10:1: 800Vpp (±400V)
Sensibilidad vertical10mV/div a 10V/div (rango X1)
Desplazamiento verticalAjustable con indicador
Rango de base de tiempo50ns a 20s
Modo de disparoAuto/Normal/Único
Tipo de disparoFlanco ascendente, flanco descendente
Nivel de disparoAjustable con indicador
Congelado de forma de ondaSí (función HOLD)
Medición automáticaMáx, Mín, Prom, RMS, Vpp, Frecuencia, Período, Ciclo de trabajo
TransistorFactor de amplificación "hfe"; tensión base-emisor "Ube", Ic/Ie, corriente de fuga inversa colector-emisor "Iceo", Ices, caída de tensión directa del diodo de protección "Uf"
DiodoCaída de tensión directa <5V (caída directa, capacitancia de unión, corriente de fuga inversa)
Diodo zener0.01~32V, tensión de ruptura inversa (área de prueba K-A-A)
Transistor de efecto de campo (FET)JFET: capacitancia de gate "Cg", corriente de drenaje Id según "Vgs", caída directa del diodo de protección "Uf" — IGBT: corriente de drenaje Id según Vgs, caída directa del diodo de protección Uf — MOSFET: tensión de umbral "Vt", capacitancia de gate "Cg", resistencia drenaje-fuente "Rds", caída directa del diodo de protección "Uf"
SCR unidireccionalTensión de disparo <5V, nivel de gate (tensión de gate)
SCR bidireccionalCorriente de disparo <6mA (tensión de gate)
Capacitor25pF~100mF, valor de capacitancia, factor de pérdida "Vloss"
Resistor0.01Ω~50MΩ
Inductor10μH~1000μH, resistencia DC
DS18B20Sensor de temperatura, pines GND, DQ, VDD
DHT11Sensor de temperatura y humedad, pines VDD, DATA, GND
Forma de onda de salidaSoporta 13 salidas de forma de onda
Frecuencia de la forma de onda0-50kHz
Ciclo de trabajo (onda cuadrada)0-100%
Amplitud de la forma de onda0.1V-3.0V